电力逆变器采用高导通电压阈值的MOSFET和双极性电压驱动
2014-12-12 0:31:53 点击：
电力逆变器采用高导通电压阈值的MOSFET和双极性电压驱动
提高电力逆变器的MOSFET的导通电压阈值也是抑制或消除MOSFET误导通的一个好办法。如果将常温导通阈值电压从3.SV提高到4~4.5V，则MOSFET误导通的可能性就会大大降低。对于耐压在400V以上的MOSFET，比较高的导通阈值电压一般不会引起MOSFET损耗的增加。
电力逆变器功率较大的桥式变换器的应用中经常采用双极性电压驱动，即在MOSFET关断期间，MOSFET栅极一源极电压保持在负极性电压值。这样，MOSFET 误导通就从原来MOSFET本身的导通阈值电压变为导通阈值电压加负偏置电压。例如，采用-15V关断电压值，则令MOSFET误导通的电压至少要达到 18.5V，这是几乎不可能达到的干扰电压值。下图所示的实测栅极电压波形证实了这一点。
提高电力逆变器的MOSFET的导通电压阈值也是抑制或消除MOSFET误导通的一个好办法。如果将常温导通阈值电压从3.SV提高到4~4.5V，则MOSFET误导通的可能性就会大大降低。对于耐压在400V以上的MOSFET，比较高的导通阈值电压一般不会引起MOSFET损耗的增加。
电力逆变器功率较大的桥式变换器的应用中经常采用双极性电压驱动，即在MOSFET关断期间，MOSFET栅极一源极电压保持在负极性电压值。这样，MOSFET 误导通就从原来MOSFET本身的导通阈值电压变为导通阈值电压加负偏置电压。例如，采用-15V关断电压值，则令MOSFET误导通的电压至少要达到 18.5V，这是几乎不可能达到的干扰电压值。下图所示的实测栅极电压波形证实了这一点。
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